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    功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:搶先臺積電量產

    作者:時間:2022-05-23來源:快科技收藏

      之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體制造公司之一,節點是他們的一個殺手锏,之前一直被良率不行等負面傳聞困擾,日前公司終于亮出首個晶圓,按計劃將在今年Q2季度量產,比臺積電還要早一些。

    本文引用地址:http://www.rethinkthailand.com/article/202205/434355.htm

      日前美國總統參觀了位于平澤市附近的芯片工廠,這里是目前全球唯一一個可以量產工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過具體是哪款芯片還不得而知。

      對三星來說,3nm節點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵,因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術,三星的3nm節點就會啟用GAA技術,這是一種新型的環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

      根據三星的說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。

      根據三星之前的表態,3nm工藝將在2022年Q2季度量產,這個進度相比臺積電的3nm工藝還要激進,后者今年下半年也只能小規模試產,明年才會大規模量產3nm工藝。



    關鍵詞: 三星 3nm

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