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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    當SiC MOSFET遇上2L-SRC

    • 導讀】事物皆有兩面:SiC MOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是常見的設計,SiC MOSFET是很好的解決方案。但是,SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二:1.采用大的柵
    • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  2L-SRC  

    SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

    • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
    • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

    耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

    • 在線性模式供電的電子系統中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優勢所在。?在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
    • 關鍵字: 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

    常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

    • 提高功率密度已經成為電源變換器的發展趨勢。為達到這個目標,需要提高開關頻率,從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術,可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下,能夠改善效率,能夠降低應用的尺寸,還能夠降 低功率開關的應力,因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務
    • 關鍵字: MOSFET  

    意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

    • 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平,STP65N045M9 為 45mΩ,STP60N043DM9 為 43
    • 關鍵字: 意法半導體  MDmesh  MOSFET  

    瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現最佳效率

    • 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案,和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
    • 關鍵字: SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  

    Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合

    • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合,重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET,應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術
    • 關鍵字: Nexperia  自動安全氣囊  MOSFET  

    安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

    • 安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近,SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節省30%。而且,它的外形只有2.30mm,比D2PAK封裝的體積小60%。除了更小尺寸之外,TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
    • 關鍵字: 安森美  TOLL封裝  碳化硅  MOSFET  

    英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統能效

    • 英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝,具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統,如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行
    • 關鍵字: SiC  太陽能  MOSFET  

    場效應管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開關導通

    • 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態,如下圖是場效應管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉換成漏極電壓,并影響放大倍數Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛,如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
    • 關鍵字: MOSFET  MOS  場效應管  

    開關電源MOS管有哪些損耗,如何減少MOS管損耗

    • 一、什么是開關電源開關模式電源(SwitchModePowerSupply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是一種高頻化電能轉換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設備,例如個人電腦,而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
    • 關鍵字: 開關電源  MOS  MOSFET  

    10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護

    • 摘要傳統上,過流保護使用的是保險絲。但是,保險絲體積龐大,響應速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲,它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統停機時間,使用率高的電源或全年無休的系統需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統或板(例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務器和路由器)供電時,必須為電源提供過流保護??焖贁嚅_發生故障的子系統與共享電源總
    • 關鍵字: MOSFET  

    功率半導體的創新驅動下一代能源網絡建設,構建可持續發展的未來

    • 全球變暖是人類面臨的最大挑戰。全球科學家已達成共識,必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平,將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下,才能擁有一個可持續發展的未來。要實現面向未來的可持續能源網絡,綠色轉型勢在必行,下一代能源基礎設施必須對環境有利。安森美認為下一代能源網絡將主要基于太陽能和風能等可再生能源,并結合能源儲存的能力。此外,我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移,以實現可行且可持續的能源網絡。圖1 21世紀能源網絡無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源,還是電動汽車
    • 關鍵字: MOSFET  

    健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇

    • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫療健康等領域,作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備,可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業面臨的又一個新發展機遇,可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后,行業前景一直穩步成長。據統計,2019年全球可穿戴技術產品市場的規模超過了500億美元,是2014年的2倍以上,可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續爆發雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響,部
    • 關鍵字: 202009  MOSFET  

    如何用無橋圖騰柱功率因數校正控制器實現出色的AC-DC功率轉換效率

    • 電網提供的電能是交流電,但我們使用的大多數設備都需要直流電,這意味著進行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環境并管理運營成本,這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量,很容易理解。但是,輸入功率因數也有很大的影響。功率因數(PF) 描述了任何交流電設備(包括電源)消耗的有用(真實)功率與總(視在)功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載,PF 將等于1,但任何負載內的無功
    • 關鍵字: 202204  MOSFET  
    共1092條 1/73 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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