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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

    • 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓,以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設計工程師在選擇功率開關器件時
    • 關鍵字: 富昌電子  MOSFET  

    通過轉向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉換中的權衡問題

    • 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
    • 關鍵字: SiC MOSFET  功率轉換  

    RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

    • 現階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環和晶胞設計,研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環和晶胞設
    • 關鍵字: RS瑞森半導體  MOSFET  

    單芯片驅動器+ MOSFET技術 改善電源系統設計

    • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域,推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率,高
    • 關鍵字: 單芯片  驅動器  MOSFET  DrMOS  電源系統設計  

    安森美:聚焦SiC產能擴建,推出最新MOSFET產品

    • 近日,安森美公布了2022年第三季度業績,其三季度業績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數據顯示,其三大業務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執行了一系列的戰略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統的I
    • 關鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  

    Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

    • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合,推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合,非常適合用于12V熱插拔應用,包括數據中心服務器和通信設備。  多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來,增強器件中關鍵MOSFET的性能,滿足特定應用的要求,以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流
    • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  ASFET  SOA  

    安森美推出采用創新Top Cool封裝的MOSFET

    • 2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創新的頂部冷卻,幫助設計人員解決具挑戰的汽車應用,特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發到散熱器上,而不是通過傳統的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發熱,從而提高功率密度
    • 關鍵字: 安森美  Top Cool封裝  MOSFET  

    如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

    • 在各種電源應用領域,例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛,已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域,例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛,已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
    • 關鍵字: Digi-Key   MOSFET  

    全SiC MOSFET模塊讓工業設備更小、更高效

    • SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導體器件,在高速開關性能和高溫環境中,優于目前主流應用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中,SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求,實現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品,其最大亮點是全SiC MOSFET模塊,不同于只用SiC SBD(肖
    • 關鍵字: Toshiba  MOSFET  

    認識線性功率MOSFET

    • 本文針對MOSFET的運作模式,組件方案,以及其應用范例進行說明,剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢,與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇,能夠確??煽康倪\作。然而,用于線性模式應用時,標準MOSFET容易產生電熱不穩定性,從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用,都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下,高電壓和高
    • 關鍵字: Littelfuse  線性功率  MOSFET  

    電源系統設計優化秘技:單片驅動器+MOSFET(DrMOS)

    • 現階段,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求:一是穩壓器的功率密度(單位體積的功率)升級,為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度;另一是功率轉換效率提升,高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業一種公認的解決方案,是將先進的開關MOSFET(穩壓器的主要組成部分)及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝,從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優化了高速功率轉換。隨著對這
    • 關鍵字: 電源系統設計  單片驅動器  MOSFET  DrMOS  

    科普:MOSFET結構及其工作原理

    • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。市面上大家所說的功率場效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
    • 關鍵字: MOSFET  

    基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動器的11kW DC-DC變換器方案

    • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板,能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性,是電動汽車和能量存儲系統(ESS)等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機,50 kW 至 350 kW 的充電機,儲能系統,電動汽車快速充電,功率轉換系統 (PCS)?場景應用
    • 關鍵字: mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

    上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

    • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而,在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下,人們開始探索更快的電量補給,以高效充電來壓縮充電時間,降低充電的時間成本,從而換取設備的便攜性,提升用戶體驗。目前,USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格,以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
    • 關鍵字: 上海貝嶺  驅動IC  MOSFET  

    測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法

    • SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量,在開關速度較快時
    • 關鍵字: 羅姆半導體,MOSFET  
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    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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