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    mosfet-90n10 文章 進入mosfet-90n10技術社區

    東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
    • 關鍵字: 東芝  SiC MOSFET  

    Nexperia發布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

    • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下,可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢,滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負載開關
    • 關鍵字: Nexperia  晶圓級  MOSFET  

    單片驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統設計

    • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域,推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
    • 關鍵字: ADI  MOSFET  電源系統設計  

    Nexperia發布超小尺寸DFN MOSFET

    • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件,如今更進一步,Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中,成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括: ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術,這為產品設計帶來了若干挑戰。首先,隨著功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著
    • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  

    豪威集團發布業內最低內阻雙N溝道MOSFET

    • 電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護,離不開高性能的開關器件。近日,豪威集團全新推出兩款MOSFET:業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON),專為手機鋰電池保護設計近幾年,手機快充技術飛速發展,峰值充電功率屢創新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時,高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用,其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
    • 關鍵字: 豪威集團  MOSFET  

    分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

    • 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應,硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是,這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術,設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅動電路。為此,本文介紹了
    • 關鍵字: 英飛凌   MOSFET  

    具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H

    • 過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象,并提出了工作柵極電壓區域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象,并提出了工作柵極電壓區域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化,現在,全新推出的CoolSiC? MO
    • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

    SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

    • 隨著制備技術的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
    • 關鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

    東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動IC,助力移動電子設備小型化

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品配備了過電壓鎖定功能,能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
    • 關鍵字: MOSFET  柵極驅動  

    當SiC MOSFET遇上2L-SRC

    • 導讀】事物皆有兩面:SiC MOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是常見的設計,SiC MOSFET是很好的解決方案。但是,SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二:1.采用大的柵
    • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  2L-SRC  

    SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

    • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
    • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

    耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

    • 在線性模式供電的電子系統中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優勢所在。?在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
    • 關鍵字: 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

    常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

    • 提高功率密度已經成為電源變換器的發展趨勢。為達到這個目標,需要提高開關頻率,從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術,可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下,能夠改善效率,能夠降低應用的尺寸,還能夠降 低功率開關的應力,因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務
    • 關鍵字: MOSFET  

    意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

    • 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平,STP65N045M9 為 45mΩ,STP60N043DM9 為 43
    • 關鍵字: 意法半導體  MDmesh  MOSFET  

    瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現最佳效率

    • 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案,和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
    • 關鍵字: SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  
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