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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    最全!20V到1700V全覆蓋的國產MOSFET功率器件,工溫最高175℃

    • 中國半導體功率器件十強企業:揚杰科技(YANGJIE)· 主要產品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優勢:專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續數年評為中國半導體功率器件十強企業。國內領先的的分立器件研發企業:長晶科技(JSCJ)· 主要產品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優勢:專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
    • 關鍵字: MOSFET  楊杰科技  長晶科技  

    聞達精芯之安,泰然創新于世

    • 安世半導體(Nexperia)是全球半導體行業公認的基礎半導體器件生產專家,持續穩定地大批量生產超越業界質量標準的高效產品。
    • 關鍵字: 202204  MOSFET  

    同時實現業界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”

    • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型,新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題,在這種背景下,電動汽車充電樁、服務器和基站等工業設備以及空調等白色家電的效率不斷提升,因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
    • 關鍵字: MOSFET  

    英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進一步降低應用損耗并提高可靠性

    • 在數字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發展大勢并滿足相關市場需求,英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術,廣泛適用于大功率應用,包括服務器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統、儲能系統和電
    • 關鍵字: MOSFET  

    東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業設備開關電源,其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。此外,開關
    • 關鍵字: MOSFET  

    恩智浦與日立能源合作開發電源模塊,加快碳化硅在電動交通領域的采用

    • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布與日立能源合作,加快碳化硅(SiC)電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案,更高效可靠且功能安全,該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件,可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程,提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
    • 關鍵字: MOSFET  

    如何為開關電源選擇合適的MOSFET?

    • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中,這種情況會變得更加復雜。圖1:降壓同步開關穩壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如,同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據控制器設置的占空比進行開關操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩壓器的占空比方
    • 關鍵字: 開關電源  MOSFET  

    Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

    • 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真,并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節省時間和資源,工程師此
    • 關鍵字: Nexperia  電熱模型  MOSFET  

    羅姆SiC評估板測評:快充測試

    • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅動空載輸出12V,gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉55V  2A dcdc驅動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度,3uS左右總結由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品,以后有對應設備
    • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

    羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

    • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩壓源,所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號,用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
    • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

    羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發電玻璃的高效功率變換技術研究

    • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區域也有明顯的標識。
    • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

    SiC MOSFET的橋式結構解析

    • 本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
    • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

    碳化硅MOSFET晶體管的特征

    • 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
    • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

    非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計

    • 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路(有時稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位,但在每個開關周期必須耗散鉗位能量,這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術,使得能效得以提高,但它們會對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制,可以采用另外一種更先進的控制技術,即非互補有源鉗位。該技術可確保以
    • 關鍵字: MOSFET  

    擴展新應用領域,PI推出首款汽車級開關電源IC

    •   2022年2月15日,Power Integrations召開新品發布會,推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產品是業界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC,可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經驗的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動汽車領域的ACDC應用上
    • 關鍵字: PI  MOSFET  電動汽車  ACDC  開關電源  
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    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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