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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

    • 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此,英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝,尺寸為3.3 x 3.3 mm2,支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱性能指標,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業標桿。該器件的應用領域十分廣泛,涵蓋電機驅
    • 關鍵字: MOSFET  

    Power Integrations推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC

    用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

    • 系統級封裝(System in Package,SiP)設計理念是實現電源小型化的有效方法之一。然而,SiP空間有限,功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等;以及不同的電源互連方式,包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面,對比了不同方案的優缺點,為電源SiP的設計提供參考。
    • 關鍵字: 系統級封裝  腔體  3D堆疊  鍵合  銅片夾扣  202112  MOSFET  

    大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應用

    • 本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實現二級保護的方案;論述了其實現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術和CSP封裝技術的特點;提出了保證電池包安全可靠工作,功率MOSFET必須具有的技術參數,以及如何正確測量MOSFET的工作溫度;最后,給出了輸出端并聯電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案,避免漏電流導致電池包不正常工作的問題。
    • 關鍵字: 電池充放電管理  雪崩  短路  漏電流  MOSFET  202112  

    大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優化

    • 電池供電電機控制方案為設計人員帶來多項挑戰,例如,優化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作;現在,應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
    • 關鍵字: MOSFET  

    ROHM開發出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”

    • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。近年來,家電和工業設備領域的AC/DC轉換器,不僅要支持交流輸入85V~264V以處理世界各地的交流電壓,作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等,需要從國際視角構建電源系統。其
    • 關鍵字: MOSFET  

    ADI浪涌抑制器——為產品的可靠運行保駕護航

    • 一、復雜的電子環境汽車、工業和航空電子設備所處的供電環境非常復雜,在這種惡劣的供電環境中運行,需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統供電應用為例,該系統不但需要滿足高可靠性要求,還需要應對相對不太穩定的電池電壓,具有一定挑戰性;與車輛電池連接的電子和機械系統的差異性,也可能導致標稱12 V電源出現大幅電壓偏移。事實上,在一定時間段內,12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V,且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態電壓在汽車和工業系統是常見的,可以持久從微秒到幾百毫秒,
    • 關鍵字: MOSFET  

    使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

    • 如今,越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要,是由于其有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源尺寸,降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成,都不是理想的器件,使其效率下降的兩個主要因素(在一個簡化模型中):一個是串聯阻抗,稱為rds(on),另一個是并聯電容,稱為coss。這兩個晶體管參數限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術,設計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產生的影響。在所有晶體管中,隨著rds(on)的減小,管芯尺寸會增加,這會導
    • 關鍵字: MOSFET  

    意法半導體推出第三代碳化硅產品,推動電動汽車和工業應用未來發展

    • ※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件,提升了產品性能和可靠性,保持慣有領先地位,更加適合電動汽車和高能效工業應用※? ?持續長期投資 SiC市場,意法半導體迎接未來增長服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1],推進在電動汽車動力系統功率設備的前沿應用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。作為 Si
    • 關鍵字: MOSFET  

    CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器,并以此體現其所建立的合作伙伴關系

    • 高溫半導體和功率模塊方面的領導性企業CISSOID 公司,與技術領先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實時控制提供現場可編程控制器單元(FPCU)半導體架構的發明者Silicon Mobility公司共同宣布: Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅(SiC) 智能功率模塊(IPM)平臺實現了集成,雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機驅動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發。該合作伙伴關系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺,從而提供高
    • 關鍵字: MOSFET  

    安森美發布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列,應用于服務器和電信

    • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),近日發布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定,如80 PLUS Titanium,尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化,可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲,從而降低電磁干擾(EMI),這對服務器和電信系統是
    • 關鍵字: MOSFET  

    派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產線

    • 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,據Yole數據,Cree,英飛凌,羅姆,意法半導體占據了90%的市場份額。國產廠商已有不少推出了碳化硅二極管,但具有SiC MOSFET研發和量產能力的企業鳳毛麟角。近日,據業內人士透露,國產碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體(杭州)有限公司(簡稱派恩杰)的SiC MOSFET產品在新能源汽車OBC應用驗證取得了重大突破,獲得了新能源汽車
    • 關鍵字: MOSFET  

    安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌

    • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅動器獲ASPENCORE全球電子成就獎(WEAA)的功率半導體/驅動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業的創新和發展做出杰出貢獻的企業和個人,由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)獲EE Awards Asia的功率IC產品類獎項,同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
    • 關鍵字: MOSFET  

    2021基本創新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發布

    • 新基建和“雙碳”戰略目標推動下,第三代半導體產業正在開啟發展加速度,有望成為綠色經濟的中流砥柱,引領新一輪產業革命?!皠撔聻榛?,創芯為本”,11月27日,2021基本創新日活動在深圳盛大啟幕?;景雽w總經理和巍巍博士在會上發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導體產品布局進一步完善,產品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產業進一步發展,受到了現場來自汽車、工業、消費等領域以及第三代半導體產業生態圈的多位業內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
    • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  MOSFET  

    東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備,現在可直接通過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實現設計小型
    • 關鍵字: MOSFET  
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    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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