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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    雙脈沖測試基礎系列:基本原理和應用

    • 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法,貫穿器件的研發,應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統設計中從容的調試驅動電路,優化動態過程,驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用,對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試?在以前甚至是今天,許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的,而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要,但是往往這樣看不出具體的開關損耗,電壓或者電流的尖峰情況,以及
    • 關鍵字: MOSFET  

    基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案

    • 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動器,模擬調光范圍寬,從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移,在整個模擬調光范圍內進行精確的穩流,穩流精度在滿載時<±2%,在1%的負載時<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
    • 關鍵字: MOSFET  

    Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

    • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標,基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產品組合,Microchip推出一款全新 ”生產就緒”的1200V數字柵極驅動器,為系統開發人員提供多層級的控制和保護,以實現安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器,可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說,Microchip的Agi
    • 關鍵字: Microchip  碳化硅  MOSFET  

    雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者

    • 0? ?引言數字開關通常使用MOSFET 來創建,但是對于低飽和電壓的開關模型,雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用,它們不僅可以提供出色的電流放大效果,還具有成本優勢(圖1)。圖1 雙極結型晶體管可為移動設備提供更長的使用壽命 圖源:IB Photography/Shutterstock在負載開關應用中,晶體管需要精確地放大基極電流,使輸出電壓接近零,以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途,因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
    • 關鍵字: MOSFET  202109  

    使用無刷直流電機加速設計周期的3種方法

    • 全球都在致力降低功耗,且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區都要求家用電器(如圖 1 所示)滿足相關組織(如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使)制定的效率標準。為了滿足這些標準,越來越多的系統設計人員在設計中放棄了簡單且易用的單相交流感應電機,轉而采用更節能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機。為了實現更長的使用壽命和更低的運行噪音,掃地機器人等小型家電的設計人員也轉而在他們的許多系統中使用更先進的 BLDC 電機。同時,永磁技術的進步正不斷簡化 BLDC 電機的制造,在提供相同扭矩(負載)的
    • 關鍵字: MOSFET  BLDC  

    面向工業環境的大功率無線電力傳輸技術

    • 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及,工業和醫療行業也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優勢。在如 WLAN 和藍牙(Bluetooth)等各項無線技術的推動下,通信接口日益向無線化發展,無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案,不僅能帶來明顯的技術優勢,還能為新的工業設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念,特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環境的工業領域,例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如,它可以替代昂貴且易損
    • 關鍵字: MOSFET  

    仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性

    • 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題,英飛凌已陸續推出了很多技術資料,幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境,分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗,僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示,基于雙脈沖的思路,搭建雙管并
    • 關鍵字: MOSFET  

    功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

    • 高端變頻空調在實際應用中出現大量外機不工作,經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結合大量失效品分析與電路設計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結果表明:經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發現IGBT失效由多種原因導致,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
    • 關鍵字: 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

    羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

    • 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發揮其性能的控制IC和
    • 關鍵字: MOSFET  

    了解熱阻在系統層級的影響

    • 在電阻方面,電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻,可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中,半導體接面是產生熱的來源,允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施,以避免發生過熱關機等情況,但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案,就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度,透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
    • 關鍵字: MOSFET  

    BUCK轉換器的PCB布局設計

    • 討論了BUCK轉換器的開通回路、關斷回路的電流特性,具有高電流變化率di/dt的輸入回路,以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關節點是其關鍵回路和關鍵 節點,使用盡可能小的環路,短粗布線,優先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則,也給出了分立和集成的BUCK轉換器的PCB布局技巧和一些實例,分析了它們的優缺點。
    • 關鍵字: PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  

    碳化硅邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰

    • 1996年,ST開始與卡塔尼亞大學合作研發碳化硅(SiC),今天,SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發SiC 25周年,我們決定探討 SiC在當今半導體行業中所扮演的角色,ST的碳化硅研發是如何取得成功的,以及未來發展方向。Exawatt的一項研究指出,到2030年, 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場,例如,太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源、充電站等。因此,了解SiC過去25年的發展歷程是極其重要的,對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅:半導體行業如何克服技術
    • 關鍵字: MOSFET  

    Maxim Integrated發布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器,可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半

    • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器,有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計,并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器,構成完備的電機驅動方案;與同類產品相比元件數量減半,且電源效率提高30%,大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
    • 關鍵字: MOSFET  

    電動汽車用SiC和傳統硅功率元器件都在經歷技術變革

    • 近年來,在全球“創建無碳社會”和“碳中和”等減少環境負荷的努力中,電動汽車(xEV)得以日益普及。為了進一步提高系統的效率,對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC 功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET 等)都在經歷技術變革。在OBC(車載充電機)方面,羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產品群進行提案。羅姆半導體(上海)有限公司 技術中心 副總經理 周勁1? ?Si
    • 關鍵字: MOSFET  202108  

    功率因素校正電路旁路二極管的作用

    • 本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋:減少主二極管的浪涌電流;提高系統抗雷擊的能力;減少開機瞬間系統的峰值電流,防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動,導致功率MOSFET驅動電壓降低、其進入線性區而發生損壞,才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下,功率MOSFET發生損壞的波形和失效形態,同時給出了避免發生這種損壞的幾個措施。
    • 關鍵字: 功率因素校正  旁路二極管  線性區  欠壓保護  202103  MOSFET  
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    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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