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    mosfet 文章 進入mosfet技術社區

    簡易直流電子負載的設計與實現*

    • 隨著電力電子技術的飛速發展,傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問題,設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調,并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
    • 關鍵字: STC12C5A60S2單片機  恒流恒壓  IRF3205  負載調整率  202105  MOSFET  

    適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

    • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本?;A半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強了SOA性能,適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET,經過優化,可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數,有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數,以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
    • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  

    瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會

    • 近日,瑞能半導體CEO Markus Mosen(以下簡稱Markus)的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行,瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后,從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中,在六年內保持的相當規模的成長,并取得的驕人成績;結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品,明確了在碳化硅器件行業內的領先地位;在分享后續發展策略的同時,強調了瑞能半導體未來
    • 關鍵字: MOSFET  

    基本半導體——第三代半導體前景無限

    • 相比于數字半導體,我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些,因為功率器件不僅僅是產品設計的問題,還涉及到材料等多個技術環節的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業,基本半導體技術營銷副總監劉誠表示,公司致力于碳化硅功率器件的研發與產業化,核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規級全碳化硅功率模塊等,基本半導體碳化硅功率器件產品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域,市場潛力大,也是基本半導體要重點發力的市場。站在劉誠的角
    • 關鍵字: 基本半導體  MOSFET  中國芯  

    變頻電源開關芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

    • 隨著科技的發展,電器設備使用越來越廣泛,功能越來越強大,體積也越來越小,對電源模塊的要求不斷增加。開關電源具有效率高、成本低及體積小的特點,在電氣設備中獲得了廣泛的應用。經分析,開關電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差,導致開關芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能,使產品各項性能有效提高,滿足電路設計需求,減少售后失效。
    • 關鍵字: 開關電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  

    特定工作條件下的開關電源模塊失效分析

    • 針對在某特定工作條件下發生的短路失效問題,進行了開關電源模塊及其外圍電路的工作原理分析,通過建立故障確定了失效原因,運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關電源模塊的損傷原因與機理,并給出了對應的改進措施。
    • 關鍵字: 開關電源模塊  電源振蕩  失效分析  MOSFET  202105  

    Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現已提供1700V版本

    • 如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統,以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴大其碳化硅產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率,之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用復雜的拓撲結構。此外,電力電
    • 關鍵字: MOSFET  MCU  IGBT  

    原廠MOSFET價格一年漲3倍:還會繼續漲價

    • 相比去年,已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍,而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決,有業內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息,自2020年以來,在供需層面多種因素的疊加作用下,功率器件MOSFET價格持續大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區新冠肺炎疫情延燒,導致產能下降,在過去的一個月,英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿,各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年,
    • 關鍵字: MOSFET  

    使用IC采樣保持放大器

    • 采樣保持(S/H)功能是數據采集和模數轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態。在第一種狀態下,對輸入信號采樣,同時傳送到輸出端(采樣)。在第二種狀態下,保持最后一個采樣值(保持),直到再次對輸入采樣。在大多數應用中,S/H用作數據采集系統中模數轉換器的“前端”。這樣使用時,S/H主要用于在執行模數轉換所需的時間段內,讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說,S/H是數據轉換系統必須具備的系統功能模塊,所用的模數轉換器在進行轉換期間,必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數轉換器就是
    • 關鍵字: MOSFET  

    大聯大品佳集團推出基于NXP產品的5G open frame解決方案

    • 大聯大控股近日宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯大品佳推出基于NXP產品的5G open frame解決方案的展示板圖當前,系統對于電源設計要求正在變得愈發苛刻。隨著能源法規不斷完善,針對效率的要求不斷提高,在電源已做到極致的情況下,單純地使用原始架構已不能滿足需求,因此必須有新一代的架構設計來滿足現行的需求。大聯大品佳針對高效率的5G電源應用,基于NXP技術推出了open frame解決方案,該方案搭載輸入端同步整流技術IC
    • 關鍵字: MOSFET  

    硅晶體管創新還有可能嗎? 意法半導體超結MDmesh案例研究

    • 前言自從固態晶體管取代真空電子管以來,半導體工業取得了令人驚嘆的突破性進展,改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步,在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公,與外界保持聯系??傊?,沒有半導體的技術進步,人類就無法享受科技奇跡。舉個例子,處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力,在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據摩爾定律,晶體管密度每18個月左右就提高一倍,這個定律控制半導體微處理器迭代50多年?,F在,我們即將到達原子學和物理學的理論極限,需要新的技術,例如,分層垂直堆疊技術。同時,我們
    • 關鍵字: MOSFET  

    貿澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應用

    • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above(推動汽車電子進一步發展),探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統等各種汽車應用所需的高性能解決方案。在這本電子書中,來自貿澤和Vishay的行業專家就現代汽車設計中一些富有創新性的技術提出了深入的見解,這些技術包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設計的光
    • 關鍵字: MOSFET  

    儲能領域蘊藏節能機會 ADI積極推動節能減排

    • ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發電端的發電機電流電壓監測/ 風機振動監測、輸電環節的導線舞動監測/ 導線覆冰監測/ 地質災害監測、變電環節的變壓器振動監測到配電環節故障指示以及用電環節的電力計量,從微電網和公用事業到數據中心和工廠,再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規模部署,ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統。ADI中國汽車技術市場?高級經理 王星煒1? ?儲能系統B
    • 關鍵字: 202107  MOSFET  儲能  

    超結高壓MOSFET驅動電路及EMI設計

    • 分析了超結結構功率MOSFET在開關過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產生更快開關速度的特性;給出了不同外部驅動參數對開關過程的dV/dt和di/dt的影響;列出了不同驅動電路開關波形及開關性能的變化。最后,設計了優化驅動電路,實現優化的EMI結果,并給出了相應驅動電路的EMI測試結果。
    • 關鍵字: 202106  超結  驅動  EMI  非線性  MOSFET  

    ROHM開發出實現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

    • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常適用于FA等工業設備和基站(冷卻風扇)的電機驅動。近年來,為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅動的器件,需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外,為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下,
    • 關鍵字: MOSFET  
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    mosfet介紹

      金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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