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    干貨 | 電阻,電感,電容,MOSFET主要特性參數

    發布人:旺材芯片時間:2021-08-15來源:工程師
    電阻主要特性參數


    電阻的主要參數有電阻阻值,允許誤差,額定功率,溫度系數等
    1、標稱阻值:電阻器上面所標示的阻值。

    2、允許誤差:標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數稱阻值偏差,它表示電阻器的精度。
    3、額定功率:在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環境溫度為-55℃~+70℃的條件下,電阻器長期工作所允許耗散的最大功率。

    4、額定電壓:由阻值和額定功率換算出的電壓。
    5、溫度系數:溫度每變化1℃所引起的電阻值的相對變化。溫度系數越小,電阻的穩定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數,反之為負溫度系數。
    6、老化系數:電阻器在額定功率長期負荷下,阻值相對變化的百分數,它是表示電阻器壽命長短的參數。
    7、電壓系數:在規定的電壓范圍內,電壓每變化1伏,電阻器的相對變化量。 電感器的主要參數


    電感器的主要參數有電感量、允許偏差、品質因數、分布電容和額定電流等。
    1、電感量:電感量也稱自感系數,是表示電感器產生自感應能力的一個物理量。電感器電感量的大小,主要取決于線圈的圈數(匝數)、繞制方式、有無磁心及磁心的材料等等。通常,線圈圈數越多、繞制的線圈越密集,電感量就越大。有磁心的線圈比無磁心的線圈電感量大;磁心導磁率越大的線圈,電感量也越大。
    2、允許偏差:允許偏差是指電感器上標稱的電感量與實際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或濾波等電路中的電感器要求精度較高,允許偏差為±0.2%~±0.5%;而用于耦合、高頻阻流等線圈的精度要求不高;允許偏差為±10%~15%。
    3、品質因數:品質因數也稱Q值或優值,是衡量電感器質量的主要參數。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時,所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高,其損耗越小,效率越高。電感器品質因數的高低與線圈導線的直流電阻、線圈骨架的介質損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關。
    4、分布電容:分布電容是指線圈的匝與匝之間、線圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小,其穩定性越好。
    5、額定電流:額定電流是指電感器有正常工作時反允許通過的最大電流值。若工作電流超過額定電流,則電感器就會因發熱而使性能參數發生改變,甚至還會因過流而燒毀。


    電容的主要特性參數


    電容的主要參數有電容容值,允許誤差,額定工作電壓,溫度系數等
    1、容量與誤差:實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍,一般分為±5%,±10%,±20%。精密電容器的允許誤差較小,而電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級。
    2、額定工作電壓:電容器在電路中能夠長期穩定、可靠工作,所承受的最大直流電壓,又稱耐壓。對于結構、介質、容量相同的器件,耐壓越高,體積越大。
    3、溫度系數:在一定溫度范圍內,溫度每變化1℃,電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
    4、絕緣電阻:用來表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言,絕緣電阻越大越好,漏電也小。
    5、損耗:在電場的作用下,電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
        MOSFET的主要特性參數


     “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2 或 SiN)及半導體三種材料制成的器件
    MOSFET的主要參數有ID,IDM,VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)
    1、ID:最大漏源電流。是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過ID。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。
    2、IDM:最大脈沖漏源電流。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。
    3、VGS:最大柵源電壓。
    4、V(BR)DSS:漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS為0時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。
    5、RDS(on):在特定的VGS(一般為10V)、結溫及漏極電流的條件下,MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數,決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。
    6、VGS(th):開啟電壓(閥值電壓)。當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時,漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中,常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。
    7、PD:最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額。
    8、Tj:最大工作結溫。通常為150℃或175℃,器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度,并留有一定裕量。 功率 MOSFET 與雙極型功率相比具有如下特點:
    1、MOSFET 是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅動大電流時無需推動級,電路較簡單;2、輸入阻抗高;3、工作頻率范圍寬,開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒),開關損耗??;4、有較優良的線性區,并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多,所以它的交流輸入阻抗極高;噪聲也小,最合適制作 Hi-Fi 音響;5、功率 MOSFET 可以多個并聯使用,增加輸出電流而無需均流電阻。

    來源:國際電子商情


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    關鍵詞: MOS

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