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    1.2kV SiC MOSFET中的主動短路和重復短路

    發布人:旺材芯片時間:2022-04-16來源:工程師

    來源: 芯TIP


    報告主題:1.2kV SiC MOSFET 中的主動短路和重復短路

    報告作者:Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jeff Casady

    報告詳細內容



    # 介紹

    SiC MOSFET技術是汽車驅動傳動系統應用的理想選擇,可以利用SiC的更高效率來延長電池電動車(BEV)的續航能力(和/或)降低成本

    在某些操作條件下,汽車應用可能會導致高應力環境

       - 坡度保持、故障條件、峰值加速度

       - 為峰值工作條件添加額外的SiC芯片會增加成本

    * 了解SiC MOSFET在非正常高應力條件下的魯棒性極限是很重要的。

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    # 概要

    考慮1.2 kV、17 mΩ MOSFET的魯棒性,將進行兩種不同的高應力測試

       1. 重復性短路

       2. MOSFET浪涌測試

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    # 被測設備

    QPM3 -1200 -0017C 汽車芯片

       – 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET

    ? 用于評估的預發布 SiC MOSFET

       – 柵極驅動電壓:-4 V/ +15V

       – 采用 TO TO-247 -4L 封裝 (kelvin) 進行這些測試

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    # 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET重復短路

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    # 短路測試設置

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    短路波形

    測試注意事項

    ? VDS 保持在指定電壓的 15% 以內(這是通過具有非常低的雜散電感來控制的)

    ? 通過設備的電流水平達到額定電流的 10 倍以上

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    # 測試程序

    ? 為了獲得 TSCWT,設備被給予一個短脈沖,如果設備在這個脈沖中幸存下來,脈沖寬度將增加 200 ns。

    ? 脈沖寬度不斷增加,直到器件性能下降

    ? 在每個脈沖之間進行靜態測量

    ? TSCWT = 最后一個良好脈沖(器件存活的最后一個脈沖寬度)

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    # 預期能量水平

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    重復性SC測試概述

    用1.4微秒的脈沖對兩個設備進行重復脈沖,每100個脈沖后進行一次后期測試

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    # 參數測試結果

    - 前期測試是在開始SC測試前測量的(脈沖0)。

    - 后期測試在每100個脈沖后進行測量。

    - 在175°C時,設備通過了600個脈沖,但在700個脈沖后未能通過后測試。

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    # 結點溫度估計

    - 在LTSpice中使用TO -247 -4L封裝的熱阻抗測量值為這個1200V、17mΩ的器件創建了一個Cauer熱模型。

    - 測量的瞬時功率波形(

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    關鍵詞: MOSFET

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